Технології захисту пам'яті від збоїв

У мікросхемах ОЗП динамічного типа елементом пам'яті є конденсатор. Заряджений стан конденсатора вважається станом логічної одиниці, розряджений – станом логічного нуля. Такі елементи пам'яті не можуть тривалий час зберігати свій стан і тому вимагають додаткових засобів для забезпечення періодичного відновлення (регенерації) інформації. Час вибірки для динамічного ОЗП складає 70— 200 нc. У порівнянні з ОЗП статичного типу ОЗП динамічного типа характеризуються: більшою інформаційною ємкістю, обумовленою меншим числом компонентів в одному елементі пам'яті; меншою швидкодією (із-за необхідності заряду і розряду конденсатора при записі біта інформації); меншою потужністю споживання; меншою вартістю.

Розроблені такі технології захисту пам'яті від збоїв:

1.Перезапис – читається вміст всього рядка з пам'яті в буфер (він на ІМС статичного типу), потім весь рядок із буфера знов перезаписується в динамічну пам'ять.

2. Контроль парності. В ранніх моделях пам'яті застосовувався для перевірки правильності інформації. При цьому коли записувався один байт, то обчислювалася сума по модулю 2 всіх інформаційних бітов і цей результат заносився в спеціальний контрольний розряд.

При читанні цієї інформації також обчислюється і порівнюється з тим, що був обчислений при запису цієї інформації.  З розвитком технологій виготовлення ІМС пам'яті цей тип перевірки зараз не використовується.

3. Корекція помилок ЕСС( Error Checking and Correction)– це спеціальний алгоритм на заміну контролю парності, який знаходить одну помилку в одному бітові і перезаписується цей біт на потрібну інформацію.